（報告出品方：東方證券）

1. 回顧海外半導體設備龍頭廠商的發展之路

全球半導體設備市場高度集中，海外龍頭企業處于壟斷地位。美國的半導體廠商主要有應用材料、 泛林半導體和科磊，應用材料是全球最大的半導體設備制造廠商，產品覆蓋除光刻以外的半導體 前道工藝，占全球半導體設備的 21%；泛林半導體是全球第三的半導體設備廠商，按照“先專后 全”的路線，先專注于刻蝕設備的研發制造，逐步發展薄膜沉積、清洗以及檢測業務；科磊在半 導體檢測設備領域長期占有 50%以上的市場份額，2021 年占全球半導體設備 8%。日本的半導體 廠商主要包括東京電子和迪恩士，東京電子的產品覆蓋非常全面，在全球半導體設備市場占 15% 份額，迪恩士的清洗設備處于全球領先地位，在全球半導體設備廠商中排名第六；荷蘭的半導體 廠商主要為阿斯麥，阿斯麥壟斷了全球的高端光刻機市場，在半導體設備市場中占有 21%的份額。

ASML 是全球光刻機龍頭，占據 75%份額；LAM（泛林半導體）是全球刻蝕領域龍頭，占據 50% 份額；AMAT （ 應 用 材 料 ） 是 薄 膜 沉 積 、 離 子 注 入 、 CMP 多 領 域 龍 頭 ， 分 別 占 據 85%(PVD)/30%(CVD)、50%、50%市場份額；DNS（迪恩士）是全球清洗機龍頭，占據 45%份 額；TEL 是全球涂膠顯影機、原子層沉積（ALD）龍頭，占據 87%、30%份額；KLA（科磊）是 全球檢測量測設備龍頭，占據 54%份額。

1.1 應用材料：平臺型龍頭，外延并購成就版圖

應用材料成立于 1967 年，1992 年成為全球最大的半導體設備制造廠商，一直蟬聯至今。1970 財 年 AMAT主營業務收入為 730 萬美元，1972 年上市時為 630萬美元，到 2021 財年（2020.10.26- 2021.10.31）主營業務收入已達 231 億美元，比上市時增長 3660 倍。

AMAT 長期以來重視技術創新，保持高研發投入。公司歷年研發投入占營業收入比重平均在 15% 左右。

AMAT 不斷推出新品，引領行業發展步伐。AMAT1976 年推出第一臺商用等離子化學氣相沉積設 備，1987 年推出革命性的單晶圓多反應腔平臺 Precision 5000，分別于 1989 年和 1997 年成為全 球第一家推出 200mm 和 300mm 晶圓制造設備的企業；2005年發布 Centura Advant Edge系統， 采用了最先進的硅片刻蝕技術；2006 年發布 Producer GT，是當時最高效、投入產出比最高的 CVD 平臺。

外延擴張，打造“半導體設備超市”。半導體設備技術門檻高、研發投入大且周期長，此外客戶 驗證復雜，通過收購能夠快速集成技術，發展客戶，搶占市場。AMAT1997 年收購兩家以色列公 司Opal Technologies（驗證臨界尺寸的高速計量系統）和Orbot Instruments（成品率提高系統）， 開啟了并購之路。以后相繼通過并購擴展了公司的 CMP、晶圓檢測、清洗、薄膜沉積、離子注入等業務。同時公司積極拓展泛半導體領域，2007 年收購 HCT，幫助太陽能領域客戶降低制造光 伏電池的成本，擴展了光伏電源領域的業務。

緊抓半導體產業轉移機遇，進行全球布局。早在 1971 年 AMAT 就開始全球化布局的嘗試，在歐 洲設立了第一個海外辦事機構。20 世紀 70 年代后期，半導體產業由美國向日本轉移，80 年代向 韓國、中國臺灣轉移。AMAT 緊抓產業轉移的機遇，在全球各地設立辦事處。進入 21 世紀之后， 隨著半導體產業轉移到中國大陸，AMAT也在加強在大陸的布局。1984 年 AMAT就在北京設立了 技術服務中心，成為第一家進入中國的外資半導體設備廠商。2001 年和 2007 年，分別在北京和 西安設立技術中心和全球開發中心。

1.2 ASML：光刻龍頭，突破性技術變革助力崛起

ASML 是全球光刻機的領跑者，壟斷 EUV 光刻技術。ASML 成立于 1984 年，由電子巨頭飛利浦 和半導體設備制造商 ASMI 共同成立。如今 ASML 在全球光刻機領域處于絕對的霸主地位，占據 全球約 75%的光刻機市場，更是壟斷了全球 7nm 及以下工藝的 EUV 光刻機技術。2021 財年 （2021.1.1-2021.12.31）ASML 出貨 309 臺光刻機，主營業務收入 186 億美元，同比增長 33%。

革命性技術突破成就 ASML 的霸主地位。ASML 一直重視研發創新，2021 年研發投入 25 億美元， 占主營的 14%。ASML 成立以來，四項技術突破幫助其成為光刻龍頭企業。1991 年，推出突破性 平臺 PAS5500，憑借其領先的生產力和分辨率，奠定了客戶基礎。2001 年，推出 TWINSCAN 系 統及其雙平臺技術，最大限度地提高了系統地生產力和準確性。緊接著，ASML 于 2003 年推出第 一臺浸潤式機器，這一技術成為此后 65、45 和 32nm 制程的主流，推動摩爾定律往前躍進了三 代。2010 年，ASML 運送了第一臺 EUV 光刻原型機，成為全球唯一使用極紫外光的光刻機制造 商，開啟了光刻機的新時代。

ASML 重要轉折之一：開發浸沒式光刻技術。ASML 最大的彎道超車，發生在 193nm 制程到 157nm 制程的升級過程，當時業內大部分企業選擇在原有技術路徑上改進，比如尼康、佳能都選 擇研發 157nm 波長的光源。這時，臺積電科學家林本堅提出，利用水的折射，使進入光阻的波長 縮小到 134nm，由于浸沒式光刻技術研發難度大，且需要推翻原有設計重新開始研發，只有 ASML 愿意選擇浸沒式光刻技術，2003 年，ASML 和臺積電合作研發出首臺浸沒式光刻設備， 2004 年尼康才終于宣布 157nm 的干式光刻機產品樣機出爐，此后，ASML 快速占領光刻機市場 份額。

ASML 重要轉折之二：率先研發出 EUV 光刻機。1997 年，英特爾和美國能源部牽頭組建 EUV LLC 前沿技術組織，論證 EUV 技術的可行性，成員主要包括英特爾、摩托羅拉、AMD 以及美國 能源部 (DOE) 的勞倫斯·利弗莫爾、桑迪亞和伯克利國家實驗室。ASML 以出資在美國建工廠和 研發中心，并保證 55%的原材料都從美國采購的條件，擠進 EUV LLC，而尼康、佳能卻被排除在 外。EUV LLC 的研究成果大大加快了 ASML 的 EUV 研發速度，成為目前唯一掌握 EUV 光刻機技 術的廠商。

戰略并購和開放式創新平臺助力 ASML 技術創新。ASML 通過戰略并購快速占領技術優勢，收購 MicroUnity 的 Mask Tool 部門（光學臨近矯正技術）、Brion Technologies（計算光刻技術）、 HMI（電子束檢測）、Mapper（電子束光刻）和 SVG（微激光系統）。此外，ASML 還于上下游 廠商、研究機構、同業合作伙伴搭建了開放式創新平臺，相互推動創新，并提供對各種技術的大 型前沿知識庫的訪問。

推出整體光刻系統，集成工藝，共同優化性能。半導體行業受到縮小制造成本和提高設備性能的 推動。然而，隨著半導體特征尺寸的縮小，工藝窗口（生產可行芯片所需的精度公差）也在縮小， 對套刻精度和臨界尺寸均勻性 (CDU) 等參數提出了嚴格的要求。2009 年 ASML 推出整體光刻系 統，集成了計算光刻技術、晶圓光刻技術和工藝控制，可以實現優化生產精度公差、提高良率、 降低客戶時間成本。

ASML 通過收購布局上游，提出客戶聯合投資計劃攜手下游，打造上下游利益共同體。ASML 通 過收購 Cymer、berliner glas、Wijdeven Motion 以及蔡司半導體 24.9%的股份，布局上游零部件， 包括紫外光源、光學組件、電機和光學鏡頭組。2012 年，ASML 提出“客戶聯合投資計劃”，與 客戶建立密切關系，共同承擔研發費用，為入股客戶提供優先供貨權，從而構成了龐大的利益共 同體。

1.3 泛林半導體：深耕刻蝕，合并諾發助力平臺化

LAM 立足刻蝕設備，逐漸向工藝前端和后端擴展業務。泛林集團成立于 1980 年，是全球領先的 綜合性半導體設備龍頭企業。泛林半導體成立第二年便推出了第一款刻蝕設備 AutoEtch。LAM 在刻蝕設備領域市場份額最大，占據 47%的市場份額，公司立足刻蝕設備領域，逐步向前端薄膜沉 積和后端清洗設備延伸，通過并購不斷提升競爭能力，構建技術壁壘和擴充產品線。泛林半導體 2021 財年（2020.6.29-2021.6.27）的主營業務收入達到 146 億美元，同比增長 46%。

LAM 專注于刻蝕設備，不斷進行技術升級。1981-1982 年，LAM 推出了支持 1.5μm 制程的刻蝕 設備 AutoEtch，1989 年開發了支持 0.8 微米制程的刻蝕設備。1992 年推出業內首款 ICP 刻蝕設 備，開始引領行業發展。LAM 首創 ALE 技術，在 2014 年推出 ALE 刻蝕設備 FLEX 系列和 KIYO 系列。ALE 技術憑借其在原子層級別的可變控制性和能實現業內最高生產率和選擇比而有望成為 新一代刻蝕設備的產業趨勢。

LAM 通過并購擴充產品線。早在 1997 年，泛林就通過收購 CMP 清洗領域的市場領導者 On Trak Systems，彌補在清潔領域產品鏈的不足。2012 年，LAM 兼并收購了諾發，其刻蝕和單晶圓清洗設備方面的領先地位與諾發的薄膜沉積技術互補，合并后 LAM 不僅能夠擁有更廣泛的市場，而且 有助于公司技術團隊加強相鄰工藝之間的的集成，未來有望開發“集簇”設備，以提高工藝效率、 降低成本，提升設備競爭力。

技術變革驅動泛林業績增長。隨著芯片制程不斷縮小、芯片結構 3D 化發展，相關設備的加工步 驟增多，刻蝕和薄膜沉積設備成為占比最高的設備。LAM 2012 年起主營業務收入呈現快速增長 的態勢，除收購諾發的因素之外，另一個關鍵驅動力是 2014 年 3D NAND 的量產和多重曝光技術 的應用，3D NAND 層數的增加將持續增加對刻蝕技術的依賴，多重曝光技術則是增加了刻蝕工藝 密度，因此對刻蝕設備的需求大幅增長，拉動刻蝕設備龍頭 LAM 營收增長。

1.4 東京電子：緊抓產業轉移機遇，受益政府扶持

東京電子是日本第一的半導體設備廠商。東京電子成立于 1963 年，是日本最大的半導體設備制 造商，也是全球第四大半導體供應商。東京電子成立之初主要從事汽車收音機的出口和半導體設 備的進口業務，1975 年開始專注于半導體設備制造，1989 年成為全球營收額第一的半導體設備制造商，并且連續三年蟬聯。之后東京電子開始向全球擴展業務，并加強研發，一直至今，東京 電子仍然是第一梯隊的半導體設備制造商。2022 財年（2021.4.1-2022.3.31），東京電子營收 178 億美元，同比增長 35%。

東京電子積極響應日本經濟轉型以及全球半導體產業轉移，領跑日本半導體設備產業。東京電子 成立之初是一家技術貿易公司，主要從事汽車收音機的出口和半導體設備的進口業務，1963 年在 日本產業構造調查會議上，日本政府著手制定旨在將本國高新技術發展由“攝取型發展”轉變為 “自主創新型發展”的長期規劃，倡導由技術引進向自主創新的轉型，東京電子便于 1968年成為 了日本第一家半導體設備制造廠商。1973 年，受石油危機影響，日本政府提出要重點扶持研究開發密集產業，恰逢尼克松沖擊導致日元升值，出口業務受到沖擊，東京電子于1975年果斷退出消 費電子出口，專注半導體設備制造。隨后日本半導體產業興起，東京電子從美國引進技術，一躍 成為全球第一的半導體設備制造商。隨著日本半導體業務的下滑，東京電子開始將業務向全球擴 展，并拓展到 FPD 領域。近年，隨著大數據、新能源車的驅動半導體產業的快速發展，東京電子 加大創新研發，迎來新發展。

東京電子為什么能成為全球領先的半導體設備廠商？

（1）東京電子發展于日本半導體行業的黃金時期。19 世紀 70 年代末，美日幾乎同時推出 64K DRAM，迅速向全球市場滲透，1984-1985 年，日本企業展開價格圍剿，進一步占領市場。半導 體設備市場依賴于半導體制造廠商對設備的投資，此外，日本半導體產業在政府的有意引導下， 以 DRAM 作為商業契機，推動本土半導體生產設備與生產材料快速發展，與半導體產業同步，日 本半導體設備市場規模擴大，發展迅速。

（2）引進先進技術。東京電子通過合資公司的形式從美國引進先進的技術，并與自身的制造技 術融為一體，1982 年成立 TEL-Varian Ltd.在日本開始生產離子注入機，1983 年與 LAM 成立合資 公司，在日本生產刻蝕設備。（3）立足國內市場，開拓海外市場。盡管東京電子 1986 年便開始出口業務，但是起初出口業務 份額并不大，專注于國內市場。20 世紀 90 年代是東京電子布局海外的關鍵時期，1993 年是東京 電子邁向海外的重要一步，東京電子開始布局在韓國的業務，1994 年開始在歐美構建銷售與服務 網絡，在 1994 年之前，東京電子面向國內產品的銷售占比超過 80%，但在 1998 年，東京電子海 外銷售首次超過國內銷售，2000 年海外銷售突破 70%。

1.5 科磊：檢測設備先行者，保持技術代際優勢

科磊為半導體檢測設備的引領者，先發優勢明顯。科磊成立于 1975 年，芯片行業的起步階段， 當時所制造的半導體良率只有不到 50%，隨著芯片層數的增加，良率甚至不到 10%，缺陷檢測問 題也隨之升級，KLA 第一個產品掩膜檢測設備，將光掩膜檢測所需時間從 8 小時減少到 15分鐘， 并且可以做到更全面的檢測，迅速被半導體行業接受，隨后投入大量資金研發，不斷推出新產品。KLA-Tencor 合并后開始大舉收購，擴展產品組合，市場份額迅速進一步擴大， 2021 財年 （2020.7.1-2021.6.30）KLA 主營業務收入 69 億美元，同比增長 19%。

KLA1975 年推出開創性的掩模檢測工具迎來了半導體工藝控制的曙光，如今運用寬帶等離子技術 檢測缺陷，KLA 一直保持技術的先發優勢，推出一系列最先進入市場的設備。從產品迭代來看， KLA 每年以競爭對手兩倍的速度向市場新推出的新產品，且產品領先市場兩代，在其服務的10個 下游領域中，8 個領域的市占率第一。主要是由于 KLA 重視研發：

（1）高研發投入：研發投入占比基本維持在 15%以上，高于行業其他企業。

（2）不斷提高下一代產品的研發投入：2021 年 KLA 用于下一代技術的研發占總研發投入的 82%。

（3）與客戶合作研發：KLA 作為檢測設備領域的龍頭企業，擁有強大的客戶基礎，通過與客戶 合作研發，提高產品競爭力。

外延并購吸收先進技術。1997 年，KLA 和 Tencor 合并，KLA 提供高端自動化光學晶圓檢測、光 罩檢測等設備，而 Tencor 更專注于薄膜量測，此次合并為半導體制造商提供了完整的良率管理產 品和服務系列。此后，KLA-Tencor 開始了大舉收購，通過戰略收購的方式獲得先進技術，拓展公 司的產品系列。2019 年，KLA 收購 Orbotech，切入 PCB 檢測、面板檢測和特殊半導體檢測，與 過程控制形成四大業務板塊。

KLA 擁有豐富的產品系列。一方面由于 KLA 在研發上的高投入，另一方面 KLA 通過外延并購不 斷吸收先進技術，拓寬產品線，KLA 產品可以運用到多種半導體元件的制造及封裝，并且覆蓋半 導體制造的全產業鏈。

KLA 近十年內在過程控制領域的市場份額保持在 50%左右，是第二名的 4 倍，檢測/量測設備市場 為什么難以切入？（1）檢測/量測設備開發難度大、技術壁壘高。首先檢測設備的技術跨越電子束、X 射線衍射、 激光照明以及高性能計算等領域；其次半導體檢測設備需要運用光學、電學原理進行納米級精密 程度以及 3D 維度上的檢測及量測。

（2）檢測設備定制化及差異化程度高。半導體檢測設備的檢測對象為定制化芯片，不同制程的 芯片對參數的要求往往是不同的。芯片制造中不同工藝過程中需要運用的檢測設備也有所不同， 比如電子束檢測可以運用在拋光、刻蝕等工藝，而掩模版檢測則適用于曝光工藝。除此之外，晶 圓制造過程當中還需要對不同的參數如電阻、膜厚、膜應力等進行量測，晶圓加工之后還需要檢 查芯片性能是否符合要求。

（3）設備使用壽命長。一方面，半導體設備的長使用壽命強化先發優勢，加強與客戶的長期綁 定關系；另一方面，服務類收入受益于長使用壽命將不斷增加，且受行業周期波動影響小。KLA 超過 50%設備使用壽命達 18 年，平均使用壽命為 12 年，服務收入呈指數級增長，為全行業純服 務收入占比最高的企業。

1.6 迪恩士：清洗設備龍頭，面臨競爭壓力

迪恩士是全球清洗設備龍頭廠商。迪恩士成立于 1943 年，于 1975 年導入半導體設備制造，受益 于日本 1980s 半導體產業的騰飛，在半導體清洗設備領域迅速發展，并于 1983 年成功開發了世 界上第一臺旋轉晶片清洗系統。迪恩士清洗設備產品覆蓋全面，引領著先進的清洗設備技術，連 續多年在單片清洗設備、批量清洗設備以及旋轉清洗設備領域占據世界第一。迪恩士主營業務收 入呈波動向上的趨勢，主要系全球經濟形勢的影響。2022財年（2021.4.1-2022.3.31） DNS主營 業務收入 4119 億日元，同比增長 29%。

迪恩士在單片清洗設備領域的市場份額逐漸降低，國產設備有望切入市場。迪恩士是一家聚焦于 清洗設備的企業，清洗設備占其半導體設備業務的 95%以上，單片清洗機占 70%，聚焦單一領域 給公司帶來了絕對的市場占有率，2009 年迪恩士在全球單片清洗設備的市場份額高達 70%，但 2021 年單片清洗設備競爭力呈現下降的趨勢，占比 38%，主要由于：（1）清洗設備參與到芯片制造的各個環節，新進入者切入難度相對較低。

（2）迪恩士韓國市場開拓阻力大。迪恩士 2004年開始拓展韓國市場，明顯晚于 TEL（1993年）、 LAM （1989 年）等同業競爭企業，錯失了開拓韓國市場的先機；此外，韓國本土設備廠商 SEMES（三星旗下子公司）在清洗設備方面亦具備較強競爭力，2020 年 SEMES 單片清洗設備 占全球 14%的份額，排名第三，給迪恩士開拓韓國市場帶來了阻力。

2. 國內外差距快速縮小，政策大力支持有望進一步加 速成長進程

2.1 堅定高研發投入，與海外廠商技術差距快速縮小

國內半導體設備廠商堅定高研發投入，成長動能足。國外龍頭設備廠商一直保持著高研發投入， 2021 年 AMAT 和 ASML 的研發投入約 25 億美元，從研發投入的絕對值來看，國內廠商雖然不及 國外龍頭企業，北方華創的研發投入在國內處于領先地位，2021 年研發投入 29 億元；但是從研 發投入占比例來看，國內廠商非常重視研發投入，高于國外龍頭，基本在 15%以上。

持續實現技術突破，與海外廠商差距快速縮小。國內半導體設備廠商已實現 28nm 制程以上工藝 技術覆蓋，還有部分廠商技術達到國際先進水平，比如中微公司的 CCP 刻蝕設備已經可以覆蓋 5nm 以下的邏輯芯片以及 128 層 3D NAND 產線；北京屹唐干法去膠設備可用于 90nm 到 5nm 邏 輯芯片、1y 到 2x 納米系列 DRAM 芯片以及 32 層到 128 層 3D 閃存芯片制造中；盛美上海全球首 創 SAPS、TEBO 兆聲波清洗技術和 Tahoe 單片槽式組合清洗技術，SAPS 清洗設備取得海力士 的重復訂單；拓荊科技的 PECVD 也已開展 10nm 及以下制程產品驗證測試。

2.2 多渠道提升技術實力，供應鏈安全保障能力大幅提升

多渠道吸收前沿技術，拓展業務布局。由于半導體設備技術門檻高，研發投入和風險相對比較大， 通過外延的方式可以幫助企業迅速切入市場，掌握核心技術。比如隨著技術節點發展到 0.35μm， CMP 設備的需求量快速增長，泛林于 1997 年收購 On Trak 迅速切入 CMP 市場；ASML 1999 年 收購 MicroUnity 的 Mask Tools 部門，迅速掌握先進的光學鄰近矯正技術，進一步提高瞄準精度。國內半導體設備也在積極嘗試通過外延方式進行布局，精測電子通過與韓國 ATE 龍頭 IT&T 合作， 設立合資公司，利用 IT&T強勁的研發實力快速布局半導體測試領域；中微公司則通過投資睿勵儀 器和拓荊科技進行檢測設備和薄膜沉積設備的布局。

設備廠商積極布局上游零部件，供應鏈安全保障能力大幅提升。萬業收購 Compart Systems（高 精度流量控制產品和技術的全球戰略供應商），布局上游零部件，完善集成電路裝備產業工藝鏈， 確保供應鏈的安全，并且有利于實現上下游產業協同效應。北方華創收購北廣科技射頻應用技術 相關資產，射頻應用技術是半導體裝備產品的核心技術之一，此次資產整合有利于提高北方華創 微電子射頻應用技術水平，可增強公司半導體裝備產品技術開發與應用能力。

2.3 迎產業轉移歷史機遇，國內政策強力支持

隨著終端需求的不斷變化，推動半導體產業轉移。半導體的需求模式對產業的發展起到了重要作 用，能否適應、開發和引導新產業的需求模式是半導體產業轉移的重要因素。半導體起源于美國， 美國政府軍事需求是拉動美國半導體業初期發展的關鍵力量，1959-1960 年，美國政府采購占半 導體產業銷量的 45-48%。進入 20 世紀 70 年代以后，日本鼓勵民營企業研發電子技術，日本民 用電子得到了飛速發展，而美國依舊注重軍工產品的研發生產，為日本占領半導體市場提供了機 遇，之后隨著日本 64K DRAM 研發成功，以及日本企業價格圍剿，1980s 半導體產業轉移到日本。隨著 20 世紀 90 年代 PC 的普及，韓國先于美日企業推出 256M DRAM，中國臺灣開辟代工廠模 式，半導體產業轉向韓國、中國臺灣。目前中國大陸正處于新一代智能手機、新能源汽車等行業 快速崛起的進程中，已成為全球最重要的半導體應用和消費市場之一。

中國大陸緊抓智能手機和電動汽車兩次發展機遇，半導體需求可能進一步擴大。21 世紀以來，中 國逐漸成為全球最大電子信息產品制造基地。同時，全球新能源車正處于快速發展階段，中國是 全球最大的新能源汽車消費市場和生產國。2021 年，我國新能源汽車銷售額占全球新能源汽車銷 售額的 51％，新能源汽車產量 354.5 萬輛，同比增長 160%。

國內政策強力支持疊加舉國體制持續推進，國內設備廠商有望加速成長。回看日本半導體發展的 歷史，我們認為國內目前半導體行業狀況與日本有很多相似之處，首先電子產業都成為經濟轉型 的重點領域，日本政府 1971 年提出重點扶持研究密集產業，支持半導體產業的發展，1976 年開 始設立超大規模集成電路的共同組合技術創新行動項目（VLSI），籌資 720 億日元打造 DRAM集 成電路產業群，而目前國內業不斷出臺政策扶持半導體產業的發展，國家大基金大力支持半導體 產業的發展。其次，都處于產業轉移的風口，19 世紀 70 年代，日本大力支持民用電子的發展， 促進了半導體產業向日本的轉移，目前中國是最大的智能手機生產和消費基地，新能源汽車發展 也非常強勢，半導體產業第三次轉移向中國大陸。東京電子在日本半導體行業發展的黃金時期專 注半導體設備的發展，曾占據半導體設備銷售額第一的寶座。目前國內也迎來上游設備等配套環 節的發展機遇，有望誕生世界級的半導體設備廠商。

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